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pubblicato il 14/mag/2014 17:31

Stm: accordo strategico con Samsung su tecnologia FD-SOI

Stm: accordo strategico con Samsung su tecnologia FD-SOI

(ASCA) - Roma, 14 mag 2014 - STMicroelectronics e Samsung Electronics hanno firmato un accordo complessivo sulla tecnologia Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI) da 28 nanometri che prevede la collaborazione per garantire l'accesso alla produzione a piu' fonti. L'accordo di licenza permette ai clienti di accedere alle soluzioni avanzate realizzate nelle linee di produzione da 300 mm allo stato dell'arte di Samsung e garantisce all'industria una produzione in volumi elevati della tecnologia FD-SOI di ST. La tecnologia FD-SOI da 28 nm permette di realizzare dispositivi a semiconduttore piu' veloci, piu' semplici, e con consumi inferiori, che rispondono alla costante richiesta di system-on-chip (sistemi completi integrati in un solo chip) con prestazioni sempre crescenti e con consumi inferiori per la prossima generazione di prodotti elettronici, come le applicazioni mobili e di elettronica di consumo. did/mau

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