(askanews) – Roma, 14 mag 2014 – STMicroelectronics e SamsungElectronics hanno firmato un accordo complessivo sullatecnologia Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI) da 28nanometri che prevede la collaborazione per garantirel’accesso alla produzione a piu’ fonti. L’accordo di licenza permette ai clienti di accedere allesoluzioni avanzate realizzate nelle linee di produzione da300 mm allo stato dell’arte di Samsung e garantisceall’industria una produzione in volumi elevati dellatecnologia FD-SOI di ST. La tecnologia FD-SOI da 28 nmpermette di realizzare dispositivi a semiconduttore piu’veloci, piu’ semplici, e con consumi inferiori, cherispondono alla costante richiesta di system-on-chip (sistemicompleti integrati in un solo chip) con prestazioni semprecrescenti e con consumi inferiori per la prossima generazionedi prodotti elettronici, come le applicazioni mobili e dielettronica di consumo. did/mau